中科院青海盐湖研究所将参加2016碳酸锂及锂电正极材料研讨会

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（c）三聚氰胺钝化Cu活性中心，院青进而抑制成核密度过程的示意图。 【小结】总之，海盐湖研本文综述和讨论了二维单晶受控生长过程中的四个关键因素。

此外，究所将参加2及锂极材还可将制备好的二维单晶作为衬底，究所将参加2及锂极材通过层间耦合的方法在其表面再次生长二维单晶，从而构建层数、取向可控的多层二维单晶或垂直异质结构。因此，碳讨研究大尺寸二维单晶的生长，具有十分重要的意义。酸锂（f）由单核生长的单晶石墨烯光学照片。

因此，电正现阶段，总结已有的研究成果并且对二维单晶生长作出更加系统、深入地理解，可为今后更多二维单晶的可控生长打下基础。现阶段，料研二维单晶生长还具有巨大的研究空间和潜力。

 图四、中科表面调控（a）Cu（111）上生长取向一致的石墨烯晶畴光学图。

（2）多种优异的性质，院青例如超高的载流子迁移率，界面之间的超快电荷转移等。到目前为止，海盐湖研只有石墨烯与六方氮化硼（hBN）被制备出接近米量级的单晶。

杂相抑制的目标是提高产物的相纯度，究所将参加2及锂极材从而获得更高的单晶质量。（j-l）在局部氟辅助催化作用下，碳讨一种可能的碳源分解反应路径示意图以及对应的能量曲线。

现阶段，酸锂在所有二维材料中，只有石墨烯和hBN通过衬底的表面调控生长获得了接近米量级的单晶。电正（n）利用第一性原理DFT计算不同取向hBN生长的能量曲线。